Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
SYSCOM

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Modelo: IRF9Z30
🛡️ Garantía: 3 años
$87 MXN
IVA incluido · Precio en pesos mexicanos
✓ En existencia (5 unidades)
Cantidad:
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Características principales
  • MOSFET Canal P con voltaje de 50 V
  • Corriente continua de drenaje de 18 A
  • RDS(on) máxima de 0.14 Ω a 10 V
  • Disipación de potencia de 74 W
  • Capacitancia de entrada de 900 pF a 25 V
  • Paquete TO-220AB para montaje en PCB
📐 Especificaciones
Modelo / SKU
IRF9Z30
Marca
SYSCOM
Garantía
3 años
Peso
0.01 kg
Alto
4 cm
Largo
15 cm
Ancho
11 cm
Categoría
Equipo de Laboratorio
✓ Características completas
  • MOSFET Canal P con voltaje de 50 V
  • Corriente continua de drenaje de 18 A
  • RDS(on) máxima de 0.14 Ω a 10 V
  • Disipación de potencia de 74 W
  • Capacitancia de entrada de 900 pF a 25 V
  • Paquete TO-220AB para montaje en PCB
📄 Recursos y soporte
🔧 IRF9Z30 🔧 SIHF9Z30
📝 Descripción completa

Transistor de Potencia MOSFET

  • Tipo: Canal P
  • Voltaje: 50 Volt
  • Corriente: 18 Amp.
  • Rds: 0.14 Ohm
  • Potencia: 74 Watt
  • Paquete: TO-220AB
  • Aplicación: Analizador III
Características Técnicas
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Especificaciones Adicionales
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
Información del Paquete
  • Supplier Device Package: TO-220AB
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Product Number: IRF9Z30
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