SYSCOM
Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5.
Modelo: 1N1184A
🛡️ Garantía: 3 años
$402 MXN
IVA incluido · Precio en pesos mexicanos
✗ Sin existencia — consultar
Cantidad:
💬 Cotizar por WhatsApp
Características principales
- Diodo de silicio de recuperación estándar
- Alta capacidad de sobrecarga 595 A
- Voltaje inverso RMS 70 V
- Corriente directa continua 35 A
- Temperatura operación -55 a +150 °C
- Cátodo en base del encapsulado DO-5
📐 Especificaciones
Modelo / SKU
1N1184A
Marca
SYSCOM
Garantía
3 años
Categoría
Refacciones
✓ Características completas
- Diodo de silicio de recuperación estándar
- Alta capacidad de sobrecarga 595 A
- Voltaje inverso RMS 70 V
- Corriente directa continua 35 A
- Temperatura operación -55 a +150 °C
- Cátodo en base del encapsulado DO-5
📄 Recursos y soporte
📝 Descripción completa
Características Principales
- Diodo de Silicio de Recuperación Estándar
- Tipo: Potencia Estándar 1N1184A
- Polaridad Estándar: Cátodo en la Base
- Alta Capacidad de Sobrecarga
- No Sensitivo a Descargas Electrostáticas (ESD)
- Temperatura de Operación: -55 a +150 °C
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje Repetitivo de Pico Inverso: 100 V
- Voltaje Inverso RMS: 70 V
- Voltaje de Bloqueo DC: 100 V
- Corriente Directa Continua: 35 A
- Corriente de Sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
- Voltaje Directo: 1.2 V (IF = 35 A, Tj = 25 °C)
- Corriente Inversa: 10 μA (VR = 50 V, Tj = 25 °C)
Especificaciones Térmicas
- Resistencia Térmica (Junto a Carcaza): 0.25 °C/W
- Temperatura de Almacenamiento: -55 a +150 °C
¿Listo para ordenar?
Envío a todo México · Garantía de fábrica · Soporte técnico