Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
TPL COMMUNICATIONS

Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

Modelo: B2114
🛡️ Garantía: 3 años
$1,312 MXN
IVA incluido · Precio en pesos mexicanos
✓ En existencia (6 unidades)
Cantidad:
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Características principales
  • Tecnología MOSFET de canal N lateral
  • Potencia de salida 70 W a 470 MHz
  • Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
  • Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez
  • Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
  • Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz
📐 Especificaciones
Modelo / SKU
B2114
Marca
TPL COMMUNICATIONS
Garantía
3 años
Peso
0.01 kg
Largo
2 cm
Ancho
1 cm
Categoría
Refacciones
✓ Características completas
  • Tecnología MOSFET de canal N lateral
  • Potencia de salida 70 W a 470 MHz
  • Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
  • Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez
  • Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
  • Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz
📄 Recursos y soporte
🔧 MRF1570N
📝 Descripción completa

Características Principales

  • Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz
  • Potencia de salida: 70 Watts
  • Tensión de alimentación: 12.5 Vdc
  • Ganancia: 11.5 dB
  • Eficiencia: 60%
  • Tecnología: MOSFET de canal N lateral
  • Capacidad para manejar VSWR de 20:1
  • Paquete plástico capaz de 200°C
  • Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)

Aplicaciones

  • Equipos de comunicación móvil FM
  • Amplificadores de señal RF
  • Equipos industriales y comerciales
  • Sistemas de radiofrecuencia

Características de Diseño

  • Estabilidad térmica excelente
  • Parámetros de impedancia equivalente en serie
  • Disponibilidad de información del amplificador de demostración
  • Paquete plástico TO-272-8
  • Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
Ratings Máximos
  • Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc
  • Voltage G-S: ±20 Vdc
  • Disipación: 165 W @ 25°C
  • Derating: 0.5 W/°C sobre 25°C
  • T. Almacenamiento: -65 a +150 °C
  • T. Unión: 200 °C
Características Térmicas
  • RθJC: 0.29 °C/W
Protección ESD
  • Modelo Humano: Clase 1 (Mínimo)
  • Modelo Máquina: M2 (Mínimo)
  • Modelo Carga Dispositivo: C2 (Mínimo)
Sensibilidad a la Humedad
  • Estándar: JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
  • Nivel: 3
  • Temperatura pico: 260 °C
Características OFF
  • IDSS: Máx 1 μA (VDS = 60 Vdc, VGS = 0 Vdc)
Características ON
  • VGS(th): 1 a 3 Vdc (VDS = 12.5 Vdc, ID = 0.8 mAdc)
  • VDS(on): Máx 1 Vdc (VGS = 10 Vdc, ID = 2.0 Adc)
Características Dinámicas
  • Ciss: Máx 500 pF
  • Coss: Máx 250 pF
  • Crss: Máx 35 pF
Características RF
  • Ganancia: 11.5 dB
  • Eficiencia: 60%

Frecuencias de Operación

  • 135-175 MHz
  • 400-470 MHz
  • 450-520 MHz

Configuración del Amplificador

  • Amplificador de fuente común
  • Polarización de compuerta y drenaje
  • Redes de entrada/salida con microstrip
  • Componentes pasivos de RF

Condiciones de Prueba

  • VDD = 12.5 Vdc
  • IDQ = 800 mA
  • Frecuencia de prueba: 470 MHz
  • Pout = 70 W
  • Pin = 36-38 dBm

Componentes de Prueba

  • Condensadores de chip de 100 mil
  • Inductores de 1 a 2 vueltas
  • Resistencias de chip (1206)
  • Beads de ferrita
  • Microstrip de diferentes dimensiones
  • Condensadores electrolíticos

Condiciones Ambientales

  • Temperatura de prueba: 25°C
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
  • Temperatura de operación: Hasta 200 °C
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